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电子元器件详细资料 » IC[28867] » NTMSD6N303R2G
型号:NTMSD6N303R2G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
系列FETKY™
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C32 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds950pF @ 24V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市赛尔通科技有限公司李先生086-0755-83663430
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
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